寧波芯健半導體有限公司
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銅凸塊制程即wafer從晶圓加工完成基體電路后,利用涂膠、黃光、電鍍及蝕刻制程等制作技術通過在芯片表面制作銅錫凸點,提供了芯片之間、芯片和基板之間的“點連接”,由于避免了傳統Wire Bonding 向四周輻射的金屬“線連接”,減小了芯片面積(封裝效率100%),此外凸塊陣列在芯片表面,引腳密度可以做得很高,便于滿足芯片性能提升的需求,并具有較佳抗電遷移和導熱能力以及高密度、低阻抗,低寄生電容、低電感,低能耗,低信噪比、低成本等優點。
Cu-Pillar Structure | PI Thickness | Standard Cu-Pillar | Micro Cu-Pillar |
1M (Dirctl Cu-Pillar) | NA | Pitch:150um Bump Size:80-100um Bunp Height: 65um Cu+35um Sn | Min.Pitch:90um Min.Bump Size:45um Bum Hemp: 25um Cu+20um Sn |
1P1M (PI+Cu-Pillar) | 5um | ||
1P2M (PI+RDL+Cu-Pillar) | 5um | ||
2P2M 1st PI+RDL+2ndPI+Cu-Pillar | 1st PI5um 2ndPI 10um |
Application:
PMU.Smart.Card.RF.PA.MEMS&Sensor.ucontrollers.EEPROM/Dram/Flash/SRAM