老女人下面毛荫荫的黑森林

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    CuPillar封裝技術

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        銅凸塊制程即wafer從晶圓加工完成基體電路后,利用涂膠、黃光、電鍍及蝕刻制程等制作技術通過在芯片表面制作銅錫凸點,提供了芯片之間、芯片和基板之間的“點連接”,由于避免了傳統Wire Bonding 向四周輻射的金屬“線連接”,減小了芯片面積(封裝效率100%),此外凸塊陣列在芯片表面,引腳密度可以做得很高,便于滿足芯片性能提升的需求,并具有較佳抗電遷移和導熱能力以及高密度、低阻抗,低寄生電容、低電感,低能耗,低信噪比、低成本等優點。



    Cu-Pillar StructurePI ThicknessStandard Cu-PillarMicro Cu-Pillar

    1M

    (Dirctl Cu-Pillar)

    NA

    Pitch:150um

    Bump Size:80-100um

    Bunp Height:

    65um Cu+35um Sn

    Min.Pitch:90um

    Min.Bump Size:45um

    Bum Hemp:

    25um Cu+20um Sn

    1P1M

    (PI+Cu-Pillar)

    5um

    1P2M

    (PI+RDL+Cu-Pillar)

    5um

    2P2M

    1st PI+RDL+2ndPI+Cu-Pillar

    1st PI5um

    2ndPI 10um 



    1458266642377033.jpg

    Application:

    PMU.Smart.Card.RF.PA.MEMS&Sensor.ucontrollers.EEPROM/Dram/Flash/SRAM


    1458269032803537.jpg



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