老女人下面毛荫荫的黑森林

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    CuPillar封裝技術
    
	    
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        銅凸塊制程即wafer從晶圓加工完成基體電路后，利用涂膠、黃光、電鍍及蝕刻制程等制作技術通過在芯片表面制作銅錫凸點，提供了芯片之間、芯片和基板之間的“點連接”，由于避免了傳統Wire Bonding 向四周輻射的金屬“線連接”，減小了芯片面積（封裝效率100%），此外凸塊陣列在芯片表面，引腳密度可以做得很高，便于滿足芯片性能提升的需求，并具有較佳抗電遷移和導熱能力以及高密度、低阻抗，低寄生電容、低電感，低能耗，低信噪比、低成本等優點。


    Cu-Pillar StructurePI ThicknessStandard Cu-PillarMicro Cu-Pillar
    1M
    (Dirctl Cu-Pillar)
    		NA
    Pitch：150um
    Bump Size：80-100um
    Bunp Height:
    65um Cu+35um Sn
    Min.Pitch:90um
    Min.Bump Size:45um
    Bum Hemp:
    25um Cu+20um Sn
    1P1M
    (PI+Cu-Pillar)
    		5um
    1P2M
    (PI+RDL+Cu-Pillar)
    		5um
    2P2M
    1st PI+RDL+2ndPI+Cu-Pillar
    1st PI5um
    2ndPI 10um 


    1458266642377033.jpg
    Application:
    PMU.Smart.Card.RF.PA.MEMS&Sensor.ucontrollers.EEPROM/Dram/Flash/SRAM

    1458269032803537.jpg


    
	   
	  
    
	  	
    

    







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